全力发展第三代半导体,是“直道超车”还是概念炒作?机构:全球新一轮的产业升级已经开始

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作   者丨阿牛哥

图   片丨视觉中国

半导体

请帮忙做个小调查,对观察后市很有作用:

近日,在A股市场剧烈波动的背景下,第三代半导体或氮化镓概念异军突起,连续两天霸占两市概念板块涨幅第一,市场龙头股乾照光电连续两天被资金大单封死20%涨停板。还有聚灿光电、易事特、露笑科技等均出现暴涨。

各方纷纷发布看好论调,认为这个第三代半导体/氮化镓概念,会带来一波新的炒作热潮。

这里主要有三大看点:

1、国家战略高度。这一次市场兴奋的主要来源于9月3日外媒的一则消息,我国正计划大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的"十四五"规划。这虽然只是一则消息刺激,但此前国家战略新兴产业政策中就有多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,并且在当前遭遇技术封锁的背景下,上升到国家战略高度可能性很高。

2、芯片发展的突围。这一次的概念全称应为“第三代半导体材料”,目前最为成熟的材料是碳化硅、氮化镓,它们都是制作第三代半导体的基础性材料。第三代半导体材料性能卓越,远超前两代材料,欧美虽仍然领先好几年,但目前看还在可追赶范围,若举国之力倾注还是有望能像5G那样实现超车。

3、产业资本已经在路上。仅仅2020年一季度,国内就有多个第三代半导体项目有新的进展。还有多个上市公司公布了第三代半导体相关项目的计划。实际上,我国第三代半导体的全产业链已基本完善,并且大规模应用也有了苗头。

上升至国家战略高度可能性很大

周末时,有消息称特朗普政府正考虑是否将中国芯片制造商中芯国际(SMIC)列入“贸易黑名单”,原因是与中国军方有关联。这无疑对国内芯片行业又是一记重锤,虽然中芯立即出了官方声明说,任何关于“中芯国际涉军”的报道均为不实新闻,该公司对此感到震惊和不解。

但“欲加之罪何患无辞”,美国对中国的技术压制之心已经是路人皆知,中国还要想科技高速发展只能依靠自己。

8月4日,国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》的通知,将从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面进行扶持,以加快集成电路和软件产业发展。其中,对于集成电路的龙头公司(小于28纳米且经营期在15年以上),第一年至第十年免征企业所得税。

9月3日,媒体消息称,有权威消息人士透露,我国正计划大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的"十四五"规划,并到2025年的5年之内,举全国之力,在教育、科研、开发、融资等方面,大力支持发展第三代半导体产业,以打造完整供应链。

可见,国家对芯片的重视程度,上升到国家级战略程度写入"十四五"规划与此前的政策脉络相符,可信度很高。

“直道超车”存在可能

根据资料显示,半导体产业发展经历了三个阶段:

1) 第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的。;主要应用于低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。

2) 第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料。主要应用于毫米波器件、发光器件、卫星通讯、移动通讯、光通讯、GPS导航等。

3) 第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表,是 5G 时代的主要材料。主要应用于高温、高频、抗辐射、大功率器件等。

图/方正证券

需要特别说明一下,这里说的第一代、第二代并非完全替代,而是根据特性的不同,会应用于不同的产品或者是兼容的状态。而第三代半导体材料,可以被广泛应用在各个领域,消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等,并且因为其更卓越的材料特性,可以突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈。因此,随着技术的发展第三代半导体材料有可能会取代第一、二代半导体材料。

举个例子:与传统的硅芯片材料相比,属于第三代半导体材料的氮化镓优势就非常明显。比如当温度超过200摄氏度后,硅基设备开始出故障,而相对来说,氮化镓的坚硬性好,熔点高达1700℃,其耐高温程度要远超普通的圭硅芯片材料,此外氮化镓能应对的电场强度也是硅的50多倍。

华创证券指出,随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链,全球新一轮的产业升级已经开始。

目前,针对第三代半导体材料的研究和应用最领先的还是美国、日本、欧洲。中国的厂商正在迅速追赶。

图/方正证券

在第一代、第二代材料的发展中我国与美国等顶尖水平始终落后较多,但第三代半导体材料及应用产业是本世纪初才渐渐成型,美、欧、日虽然领先,但距离并不遥远。

以国内外碳化硅晶圆制造技术做对比,2018年,我国领先的碳化硅材料厂家天科合达实现了6英寸碳化硅晶片的量产;2019年10月,美国领先的碳化硅厂家Cree完成了8英寸碳化硅晶圆样品的制备。相比之下,二者在技术代际上的差别并不悬殊。

安芯基金首席战略官周贞宏表示,当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓的发展相当于70年代的硅的状态,都处于产业即将爆发阶段。

产业资本已经在路上

近年来,中国对半导体的政策倾斜不断加码,不论是新基建对5G、集成电路的重视,还是两期国家大基金的成立,再到十年免税都是在为芯片产业提供优质土壤,而第三代半导体机会已经得到产业资本的重视。

据市场研究机构赛迪顾问统计,2019年我国第三大半导体器件市场规模达到86.29亿元,增长率为99.7%,到2022年,中国第三大半导体器件市场规模有望冲破608.21亿元,增长率为78.4%。

还有一点十分重要,第三代半导体投资并不是很大。中芯国际创始人兼原CEO张汝京此前公开表示,如果有材料、外延片来做这个器件的话,如果用一个6吋来做,大概20-70亿规模都可以赚钱。如果做外延投资大概只要不到10亿,设备也不难,原材料国内的山东天岳等都不错,否则向日本、德国买都买得到,也不贵。

目前,我国已经有多家上市公司涉足碳化硅材料、氮化镓材料产业链。

【附:中国三代半导体材料相关公司】

参考来源:

中邮证券:《第三代半导体国产替代放量在即》

申港证券电子行业研究周报:功率半导体推进第三代半导体材料发展

中信建投#中芯国际创始人张汝京:中国第三代半导体如何“直道超车”?

国信证券半导体专题系列研究之二十四:第三代半导体“十问十答”

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